RL动态随机存取记忆体记忆

我们的减少延迟的动态随机存取记忆体 (RL动态随机存取记忆体® 内存)是一种高性能, 高密度内存解决方案,提供类似于sram的快速随机访问,在持续的高带宽方面甚至超过了领先的DDR3. RL动态随机存取记忆体采用创新的电路设计来最小化从存取周期开始到第一个数据可用的瞬间之间的时间. 这些特性使RL动态随机存取记忆体成为10GbE的理想选择, 对40 gbe, 100GbE数据包缓冲和检测, 它被各种fpga和网络处理器解决方案所支持.

密度

选择密度
  • 288Mb
  • 576Mb
  • 1.125Gb
范围:288Mb - 1.125Gb
  • 技术
    RL动态随机存取记忆体 2
  • 宽度
    x9, x18 x36
  • 电压
    1.8V
  • FBGA, uBGA
  • Op. 临时.
    0C至+95C, -40C至+95C
  • 技术
    RL动态随机存取记忆体 2
  • 宽度
    x18, x36
  • 电压
    1.8V
  • FBGA, uBGA
  • Op. 临时.
    0C至+95C, -40C至+95C
  • 技术
    RL动态随机存取记忆体 3
  • 宽度
    x18, x36
  • 电压
    1.35V
  • BGA, FBGA
  • Op. 临时.
    0C至+95C, -40C至+95C
+