我们的创新

创新不是方便的. 它扰乱了. 这需要好奇心、坚韧和好奇. 因为创新提出了棘手的问题. 敬明天,敬所有今天实现这一目标的人.

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我们的创新历史

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1978年:10bet十博成立

10bet十博成立

十博最初是一家四人半导体设计公司,位于博伊西(Boise)的地下室, 爱达荷州的牙科诊所. 十博的第一份合同是为Mostek公司设计64K内存芯片.

1979年:工程师完成了64K 动态随机存取记忆体的最终设计

十博工程师完成64K 动态随机存取记忆体设计

虽然不是第一家生产64K 动态随机存取记忆体的公司, 十博的工程师创造了一种更新的, 被誉为世界上最小的64K 动态随机存取记忆体设计. 这种创新的设计导致了该公司在1981年的第一个64K产品的大批量生产.

1981年:十博公司推出其第一个64K 动态随机存取记忆体产品

十博公司推出其第一个64K 动态随机存取记忆体产品

十博的64K 动态随机存取记忆体是该公司在博伊西新建成的工厂生产的第一个产品, 爱达荷州. 十博公司将其64K 动态随机存取记忆体销售到许多第一批大批量生产的个人电脑中, 包括Commodore 64家用电脑.

1984年:十博公司推出世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

十博公司公开了世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

除了被介绍为世界上最小的256K 动态随机存取记忆体模外, 这种芯片也代表了动态随机存取记忆体密度的一个行业里程碑. 通过使用更大、更容易读取的存储单元, 256K 动态随机存取记忆体是这家年轻的内存初创公司实现未来效率和盈利的跳板.

1988年:十博公司达到1兆动态随机存取记忆体的里程碑

十博公司将1兆动态随机存取记忆体推向市场

密度的里程碑, 在20世纪80年代末和90年代,1Mb 动态随机存取记忆体成为个人电脑主存储器和显卡的主要产品. Micron的1Mb 动态随机存取记忆体能够支持搭载微软新Windows操作系统(OS)的个人电脑的大容量SIMM模块.

1988年:十博公司首次推出视频RAM和快速静态RAM产品

十博公司首次推出视频RAM和快速静态RAM产品

256K视频RAM和快速静态RAM的推出,使十博的产品组合超越了传统动态随机存取记忆体, 使十博成为差异化存储类型的玩家.

1999年:Micron 16兆动态随机存取记忆体使pc能够使用新Windows 3.1

Micron 16mb 动态随机存取记忆体使pc能够使用新Windows 3.1

作为密度的里程碑,16兆动态随机存取记忆体取代了十博的主力4兆动态随机存取记忆体系列. 这些更高容量的芯片与微软发布Windows 3的时间一致.这使得PC内存的最低要求达到1兆字节.

1999年:十博公司生产工业上第一个双数据速率(DDR) 动态随机存取记忆体

十博公司生产工业上第一个DDR 动态随机存取记忆体

十博对武士双数据速率(DDR)芯片组的演示证明,DDR内存可以提供与竞争对手Direct R动态随机存取记忆体解决方案相当的性能, 但成本要低得多. 最终,DDR将成为高性能动态随机存取记忆体无可争议的行业标准接口.

2000:十博发明QDR SRAM,使存储带宽加倍

十博公司的四数据速率SRAM使内存带宽加倍

十博的创新四数据速率(QDR)架构有效地将SRAM带宽提高了一倍,适用于交换机和路由器等通信应用. 这种独特的设计使用两个端口,以双数据速率独立运行, 每个时钟周期产生四个数据项.

2002年:十博在110nm制程上演示了业界首个1g DDR

十博在110nm制程上展示业界首个1gb DDR

十博的1Gb DDR基于世界上最先进的工艺技术(110nm), 超过了仍在使用130纳米技术的半导体巨头英特尔和AMD. 该芯片使十博在密度和接口性能方面成为存储器行业的领导者.

2003年:十博发展.300万像素CMOS图像传感器

1微米的发展.300万像素CMOS图像传感器

十博进入图像传感器领域,使该公司成为具有图像质量的电荷耦合器件(CCD)传感器的CMOS技术的创新者. 今天, CMOS传感器是所有类型的数码相机的标准, 从智能手机到高端专业装备.

2004年:十博公司推出手机用伪静态RAM (pram)

十博公司公开了手机用伪静态RAM

伪静态SRAM (pram)提供了高带宽, 在移动设备中取代SRAM所需的容量和低功耗. 十博在psiram领域的领导地位为未来用于移动设备的低功耗动态随机存取记忆体产品铺平了道路.

2004年:十博公司开发了业界第一个6F2 动态随机存取记忆体单元

十博研发行业首个6F2 动态随机存取记忆体单元

十博研发了全新的6F2 电池架构,以取代行业的8F2 单元标准,每片晶圆可增加约25%的位元. 这种高密度的设计使十博重新成为业界最具成本竞争力的存储器生产商.

2005年:十博公司推出高容量、低功耗的移动LP动态随机存取记忆体

十博公司推出高容量、低功耗的移动LP动态随机存取记忆体

十博的16MB 动态随机存取记忆体 -建立在一个微小的33mm2模具上,在一个小的占用空间内实现更高的容量和更低的功率. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体, LP动态随机存取记忆体需求急剧增加, 这一趋势在今天的智能手机中仍在继续.

2006年:十博研发猫鼬测试仪,提高精度,降低成本

十博研发猫鼬测试仪,提高精度,降低成本

这个内部开发的测试仪是由十博公司专门用来提高动态随机存取记忆体测试的吞吐量和准确性. 十博继续发展这个测试平台,以满足新的和未来的存储标准.

2006年:十博公布了世界上密度最高的服务器内存模块

十博公司推出世界上密度最高的服务器内存模块

2000年代,随着虚拟化技术的兴起,多个应用程序被打包到单个服务器上,十博的16GB DDR2模块为快速增长的服务器内存占用提供了服务. 高密度服务器模块是一种趋势,一直延续到今天.

2007年:十博开发了业界首个双间距NAND

十博开发行业首个双螺距NAND

倍距技术是一种光刻技术,可以在不改变光刻的情况下增加比特密度. 这种方法涉及到将钻头线分离成第一和第二金属层, 允许十博公司在现有的50nm技术上提供16Gb的MLC设备.

2007年:十博推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体-2存储器

十博推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体 2存储器

最初是为网络设计的, 这种高性能动态随机存取记忆体很快成为一个意想不到的应用的解决方案的选择:基于dlp的电视和投影机. 而密度随时间增加, 减少延迟动态随机存取记忆体仍然是当今网络应用的主要产品.

2007年:十博和英特尔率先推出Sub-40nm NAND闪存

十博与英特尔率先推出Sub-40nm NAND闪存

这一多电平单元(MLC) NAND闪存设备是业界第一个32Gb单片NAND闪存设备, 哪一个使高密度固态存储在非常小的形式因素设备, 包括数码相机, 个人音乐播放器和数码摄像机.

2009:十博船舶RealSSD™C300,行业最快的客户端SSD

Micron ship RealSSD™C300,业界最快的客户端SSD

在发布的时候,C300是业界用于笔记本电脑和台式电脑最快的SSD. 支持SATA III接口, 这款SSD提供了6gb /s,显著提高了数据传输的吞吐量速度, 应用程序加载和启动时间.

2011年:十博和英特尔宣布世界上第一个20nm 多层陶瓷与非

十博和英特尔宣布世界上第一个20nm 多层陶瓷与非

这款128Gb的MLC内存可以在一个指尖大小的包中存储1Tb的数据,只有8个芯片, 设置新的存储基准. 另外, 这是第一个使用创新的平面单元结构的存储器,克服了标准浮动门NAND的缩放限制.

2011年:十博推出混合存储立方体(HMC)架构

十博首次推出混合存储立方体(HMC)架构

HMC (Hybrid 内存 Cube)是一种革命性的动态随机存取记忆体架构,它将高速逻辑与使用透硅(through-silicon via, TSV)技术的存储模具堆栈相结合. 从HMC学到的知识将继续应用于未来,新兴的内存技术.

2012年:十博公布行业第一个2.5英寸PCIe Enterprise SSD硬盘

十博制造工业的第2个.5英寸PCIe Enterprise固态硬盘

该解决方案结合了高性能PCI Express接口和可热插拔2.5英寸的形状因数和定制的微米控制器, 为企业性能可伸缩性和可服务性创建新的选项.

2012年:十博为超级本创造了新的低功耗动态随机存取记忆体产品类别

十博为超级本™设备创建新的低功耗动态随机存取记忆体类别

DDR3L-RS存储器开创了“低功耗”动态随机存取记忆体解决方案的新范畴, 为新一代高性能电池提供更长的续航时间, 超薄设备,如笔记本电脑, 平板电脑, 和Ultrabook系统.
*超级本是英特尔公司或其子公司在美国的商标.S. 和/或其他国家.

2013年:十博推出世界上最小的16纳米NAND闪存设备

十博推出世界上最小的16纳米NAND闪存设备

十博的16nm工艺技术在单个芯片上提供了16GB的存储空间, 有史以来密度最高的平面NAND闪存. 采用这种工艺,一块300mm的晶圆可以产生近6TB的存储空间.

2014年:十博宣布业界首款8Gb DDR3单片更快

十博凭借8Gb DDR3单片更快引领行业

这个单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1gb. 这种更高的密度使成本效益, 高容量解决方案优化,以支持大规模, 数据密集型工作负载.

2015年:十博和英特尔推出3 d与非闪存,这是有史以来开发的密度最高的闪存

十博和英特尔推出3 d与非闪存,有史以来开发的密度最高的闪存

3 d与非标志着半导体行业未来的一个重要转折点. 通过垂直叠加数据存储单元层, 3 d与非技术的容量是平面NAND技术的3倍.

2015年:十博和英特尔宣布突破性内存3D XPoint™技术

十博和英特尔宣布3D XPoint™技术

3D XPoint代表了几十年来第一个新的存储类别. 这个非易失性内存是1,快000倍,最多可达1,续航能力是NAND的000倍.

2016:十博推出GDDR5X,世界上最快的图形动态随机存取记忆体

十博推出GDDR5X,世界上最快的图形动态随机存取记忆体

这记忆的创纪录的高, 每针的数据速率使海量的图形性能和GPGPU计算能力. GDDR5X提供高达14Gb/s的数据速率,本质上是以前GDDR5内存带宽的两倍.

微米Xccela闪光 

Micron Forms Xccela™联盟促进新型接口总线

Xcella™行业联盟的成立加速了Xcella总线接口的采用, 一种新型的高性能数字互连,适用于易失性和非易失性存储器.

微米®Authenta™技术 

十博宣布物联网设备认证™安全技术

Micron®Authenta™技术有助于在闪存中实现强加密物联网设备身份识别和健康管理, 为物联网设备软件的最低层提供独特的保护级别, 从引导过程开始.

微米NVDIMM-N模块 

Micron将NVDIMM容量翻倍至32GB

十博将其DDR4 nvdimm的密度提高到32GB, 将以前的解决方案的容量翻倍. nvdimm也被称为持久内存,即使断电也能将数据永久存储在动态随机存取记忆体中. Micron 32GB NVDIMM-N模块提供了高容量和非常快的吞吐量.

Micron®5210离子固态硬盘 

十博船舶工业的第一个四电平电池NAND SSD

十博开始生产业界首款基于革命性四能级电池(QLC) NAND技术的固态硬盘. Micron®5210 ION SSD比三能级电池(TLC) NAND提供33%的比特密度, 以前使用硬盘驱动器(hdd)的服务的寻址段.

微米GDDR6X存储器图像

推出GDDR6X,第一个使用PAM4多级信令的存储器

GDDR6X是世界上最快的离散图形存储解决方案, 这是第一个电力系统带宽高达1tb /s (TB/s). GDDR6X的多级信令创新打破了传统的带宽限制, 记录破纪录的速度,同时在下一代游戏应用程序中加速复杂图形工作负载的性能.

微米176层NAND 

发布行业首款176层NAND闪存

全球首款176层3 d与非闪存,创历史新高, 行业领先的密度和性能. 在一起, 十博新的176层技术和先进的架构代表了突破性的突破, 在跨越数据中心的一系列存储用例中实现应用程序性能的巨大提升, 智能边缘和移动设备.

推出业界首个1α 动态随机存取记忆体工艺技术

1α (1-alpha)节点动态随机存取记忆体产品采用世界上最先进的动态随机存取记忆体工艺技术,在位密度方面提供重大改进, 功率和性能. 这种新的动态随机存取记忆体技术的应用是广泛和深远的-提高从移动设备到智能汽车的一切性能.

头脑简单的人不适合突破.

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