我们的创新

创新不是方便的. 它扰乱了. 这需要好奇心、坚韧和好奇. 因为创新提出了棘手的问题. 这杯酒敬明天,敬所有今天成就这一切的人.

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我们的创新历史

1978
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1978年:10bet十博成立

10bet十博成立

十博公司最初是一家四人半导体设计公司,位于博伊西市的一间地下室, 爱达荷州的牙科诊所. 十博的第一份合同是为Mostek公司设计一款64K内存芯片.

1979年:工程师完成64K 动态随机存取记忆体的设计

十博工程师完成64K 动态随机存取记忆体设计

但并不是第一家生产64K 动态随机存取记忆体的公司, 十博的工程师们创造了一种新的, 被誉为世界上最小的64K 动态随机存取记忆体设计的更小的版本. 这种创新设计使该公司在1981年大批量生产了第一个64K产品.

1981年:十博发布其首个64K 动态随机存取记忆体产品

十博发布首款64K 动态随机存取记忆体产品

十博的64K 动态随机存取记忆体是该公司在博伊西新建成的制造工厂生产的第一款产品, 爱达荷州. 十博在首批批量生产的许多个人电脑上都销售了64K 动态随机存取记忆体, 包括Commodore 64家用电脑.

1984年:十博公司推出世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

十博推出世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

此外,它还作为世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片推出, 该芯片也代表了动态随机存取记忆体密度的行业里程碑. 通过使用更大、更容易读取的存储单元, 256K 动态随机存取记忆体是这家年轻的存储器初创企业迈向未来效率和盈利的跳板.

1988年:十博达到1兆动态随机存取记忆体里程碑

十博推出1mb 动态随机存取记忆体

密度上的里程碑, 在20世纪80年代末和90年代,1Mb 动态随机存取记忆体成为了个人电脑和显卡的主要内存. 十博半导体的1Mb 动态随机存取记忆体可以支持安装微软Windows操作系统的个人电脑的大容量SIMM模块.

1988年:十博首次推出视频RAM和快速静态RAM产品

十博首次推出视频RAM和快速静态RAM产品

256K视频RAM和快速静态RAM的推出拓宽了十博的产品组合,超越了传统动态随机存取记忆体, 使十博成为不同内存类型的参与者.

1999: Micron 16mb 动态随机存取记忆体使个人电脑具备新的Windows 3.1

Micron 16mb 动态随机存取记忆体支持新Windows 3.1

16m 动态随机存取记忆体是密度上的一个里程碑,它取代了十博主要的4m 动态随机存取记忆体产品线. 这些容量更高的芯片与微软发布Windows 3的时间一致.它将PC RAM的最小要求提高到1兆字节.

1999年:十博公司生产了业界首个双数据速率(DDR) 动态随机存取记忆体

十博生产业界首个DDR 动态随机存取记忆体

十博展示的武士双数据率(DDR)芯片组证明,DDR存储器可以提供与直接R动态随机存取记忆体解决方案相竞争的性能, 但成本要低得多. 最终,DDR将成为高性能动态随机存取记忆体无可争议的行业标准接口.

2000年:十博发明QDR SRAM,使内存带宽增加一倍

十博的四数据速率SRAM使内存带宽加倍

十博的创新四数据速率(QDR)架构有效地将SRAM带宽提高了一倍,用于交换机和路由器等通信应用. 这种独特的设计使用两个端口独立运行在双数据速率, 导致每个时钟周期有4个数据项.

2002年:十博展示了工业界首个110nm制程1gb DDR

十博展示了业界首个110nm制程1Gigabit DDR

十博的1Gb DDR是基于世界上最先进的工艺技术(110nm), 超过了半导体巨头英特尔和AMD,这两家公司仍在使用130nm制程. 这款芯片使十博在密度和接口性能方面成为存储行业的领导者.

2003年:十博研发.3百万像素CMOS图像传感器

1微米的发展.3百万像素CMOS图像传感器

十博进入图像传感器领域,使其成为一家能够制造图像质量与电荷耦合器件(CCD)传感器相媲美的CMOS技术的革新者. 今天, CMOS传感器是所有类型数码相机的标准, 从智能手机到高端专业设备.

2004年:十博公司推出手机伪静态RAM (PSRAM)

十博公司推出手机伪静态RAM

伪静态SRAM (Pseudo-Static SRAM, PSRAM)提供了高带宽, 移动设备中替换SRAM所需的容量和低功耗. 十博在PSRAM领域的领先地位为未来应用于移动设备的低功耗动态随机存取记忆体产品铺平了道路.

2004年:十博公司研发出业界首个6F2 动态随机存取记忆体单元

十博研发了业界第一款6F2 动态随机存取记忆体单元

十博公司开发了一款全新的6F2 电池结构取代行业的8F2 单元标准,每片晶圆可增加约25%的位元. 这种更高密度的设计使十博重新夺回了业界最具成本竞争力的内存制造商的头衔.

2005年:十博推出高容量、低功耗移动LP动态随机存取记忆体

十博推出高容量、低功耗移动LP动态随机存取记忆体

十博公司的16MB 动态随机存取记忆体是建立在一个微小的33mm2芯片上的,能够在很小的占地面积内实现更高的容量和更低的功耗. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体, LP动态随机存取记忆体需求急剧增加, 这一趋势在今天的智能手机中依然存在.

2006年:十博公司开发了猫鼬测试仪,提高了准确度,降低了成本

十博研发猫鼬测试仪,提高准确度,降低成本

这个内部开发的测试仪是由十博公司独家使用,以提高动态随机存取记忆体测试吞吐量和准确性. 十博继续发展这个测试平台,以满足新的和未来的内存标准.

2006年:十博发布了世界上密度最高的服务器内存模块

十博发布了世界上密度最高的服务器内存模块

2000年代,随着虚拟化技术的兴起,将多个应用程序打包到单个服务器上,十博公司的16GB DDR2模块服务于快速增长的服务器内存占用. 这些高密度的服务器模块一直持续到今天.

2007年:十博研发了业界首个双倍频域NAND

十博研发业界首个双pitch NAND

在不改变光刻的情况下,增加比特密度的光刻技术中引入了间距加倍技术. 这种方法包括将位线分离成第一和第二金属层, 这使得十博能够在现有的50nm技术上提供16Gb的MLC设备.

2007:十博推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体-2内存

十博公司推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体 2内存

最初设计用于网络, 这种高性能动态随机存取记忆体很快成为一个意想不到的应用的首选解决方案:基于dlp的电视和投影仪. 而密度随着时间的推移而增加, 降低延迟的动态随机存取记忆体仍然是当今网络应用的主要内容.

2007:十博与英特尔率先推出低于40nm的NAND闪存

十博与英特尔率先推出40纳米以下NAND闪存

这个多层电池(MLC) NAND闪存设备是业界第一个单片32Gb NAND, 是什么使高密度固态存储在非常小的形状因素的设备, 包括数码相机, 个人音乐播放器和数码摄像机.

2009:十博船舶RealSSD™C300,行业最快的客户端SSD

十博船舶RealSSD™C300,行业最快的客户端SSD

在发布之时,C300是业界最快的笔记本和台式机固态硬盘. 支持SATA III接口, 该SSD提供了6gb /s,显著提高了数据传输的吞吐量速度, 应用程序加载和引导时间.

2011年:十博与英特尔宣布全球首款20nm 多层陶瓷与非

十博与英特尔宣布全球首款20nm 多层陶瓷与非

这个128Gb的MLC内存可以在一个指尖大小的包中存储1Tb的数据,只需8个芯片, 设置新的存储基准. 另外, 这种存储器是第一次使用创新的平面单元结构,克服了标准浮动门NAND的缩放限制.

2011年:十博推出混合内存立方体(HMC)架构

十博首次推出混合内存立方体(HMC)架构

Hybrid 内存 Cube (HMC)是一种革命性的动态随机存取记忆体架构,它将高速逻辑与通过硅(TSV)技术的存储芯片堆栈相结合. HMC的经验将继续应用于未来新兴的内存技术.

2012年:十博公布行业第一名.5英寸PCIe Enterprise SSD

十博生产行业第一名.5英寸PCIe Enterprise SSD

该解决方案结合了高性能PCI Express接口和可热插拔2.5英寸尺寸和定制的Micron控制器, 为企业的性能可伸缩性和可服务性创建新的选项.

2012:十博为ultrabook™创造了新的低功耗动态随机存取记忆体类别

十博为Ultrabook™设备创造了新的低功耗动态随机存取记忆体类别

DDR3L-RS存储器开创了“低功耗”动态随机存取记忆体解决方案的新范畴, 为新一代高性能电池提供更长的电池寿命, 像笔记本电脑这样的超薄设备, 平板电脑, 和Ultrabook系统.
*Ultrabook是英特尔公司或其在美国的子公司的商标.S. 和/或其他国家.

2013:十博推出世界上最小的16nm NAND闪存设备

十博推出世界上最小的16nm NAND闪存设备

十博公司的16nm工艺技术在单个芯片上提供了16GB的存储空间, 有史以来密度最高的平面NAND闪存. 使用这种方法,一个300mm的晶圆可以产生近6TB的存储空间.

2014年:十博公布业界首个单片8Gb 的DDR3 更快

十博领先业界首个单片8Gb 的DDR3 更快

这种单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1千兆字节. 这种更高的密度具有成本效益, 高容量解决方案优化,支持大规模, 数据密集型工作负载.

2015年:十博与英特尔推出有史以来密度最高的闪存3 d与非

十博与英特尔推出有史以来密度最高的闪存——3 d与非

3 d与非标志着半导体未来的一个重要转折点. 通过垂直堆叠数据存储单元层, 3 d与非提供的容量是平面NAND技术的三倍.

2015年:十博与英特尔宣布突破性内存3D XPoint™技术

十博与英特尔宣布3D XPoint™技术

3D XPoint代表了几十年来第一个新的内存类别. 这个非易失性内存最大为1,000倍的速度,最多为1,比NAND耐力大000倍.

2016年:十博推出全球最快的图形动态随机存取记忆体 GDDR5X

十博推出全球最快显卡动态随机存取记忆体 GDDR5X

这记忆的创纪录的高, 每pin数据速率可实现海量的图形性能和GPGPU计算能力. GDDR5X提供高达14Gb/s的数据速率,本质上是之前GDDR5内存带宽的两倍.

微米Xccela闪光 

十博成立Xccela™联盟,推广新型接口总线

Xcella™行业联盟的成立有助于加速Xccela总线接口的采用, 一种适用于易失性和非易失性存储器的新型高性能数字互连.

微米®Authenta™技术 

十博宣布物联网设备认证™安全技术

Micron®Authenta™技术有助于在闪存中实现强大的加密物联网设备身份识别和健康管理, 为物联网设备软件的最低层提供独特的保护级别, 从启动过程开始.

微米NVDIMM-N模块 

Micron双容量的NVDIMM到32GB

十博公司将其DDR4 nvdimm的密度提高到了32GB, 将以前解决方案的容量增加一倍. nvdimm也被称为持久内存,可以在掉电后将数据永久存储在动态随机存取记忆体中. Micron 32GB NVDIMM-N模块提供高容量和非常快的吞吐量.

Micron®5210 ION SSD 

十博船舶工业首个四能级电池NAND固态硬盘

十博开始出货业内首款基于革命性四层电池(QLC) NAND技术的固态硬盘. Micron®5210 ION SSD提供比三级单元(TLC) NAND高33%的比特密度, 以前使用硬盘驱动器(hdd)的服务的寻址段.

十博GDDR6X内存图像

推出GDDR6X,首个内存采用PAM4多级信令

GDDR6X是世界上最快的离散图形存储解决方案, 这是第一个能使系统带宽达到每秒1tb (TB/s)的系统. GDDR6X的多级信令创新打破了传统的带宽限制, 记录破纪录的速度,同时加速性能在复杂的图形工作负载跨越下一代游戏应用程序.

176微米层NAND 

出货行业首个176层NAND闪存

全球首个176层3 d与非闪存实现了前所未有的成就, 行业领先的密度和性能. 在一起, 十博的176层新技术和先进的架构代表了突破性的突破, 支持在跨数据中心的存储用例范围内实现应用程序性能的巨大提升, 智能边缘和移动设备.

出货行业首个1α 动态随机存取记忆体工艺技术

1α (1-alpha)节点动态随机存取记忆体产品采用世界上最先进的动态随机存取记忆体工艺技术,在比特密度方面提供了重大改进, 功率和性能. 这种新的动态随机存取记忆体技术的应用是广泛而深远的——从移动设备到智能汽车,它提高了一切领域的性能.

思想薄弱的人不需要突破.

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